پاورپوینت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)

دانلود پاورپوینت با موضوع ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET) دارای 21 اسلاید و با فرمت .ppt و قابل ویرایش و آماده برای ارائه ، چاپ ، تحقیق و کنفرانس می باشد.

 

تعداد اسلاید : 21 اسلاید
فرمت فایل: پاورپوینت .ppt و قابل ویرایش
آماده برای : ارائه ، چاپ ، تحقیق و کنفرانس

 

قسمتی از متن نمونه:

ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)
الکترونیک دیجیتال

ترانزيستور اثر ميدان
Field Effect Transistor
الکترونیک دیجیتال
ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزيستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک ميدان الكتريكي صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد
كلمه ترانزيستور از دو كلمه ترانس (انتقال) و رزيستور (مقاومت) تشكيل شده است و قطعه اي است كه از طريق انتقال مقاومت به خروجي باعث تقويت مي شود.
تعريف
الکترونیک دیجیتال
اگر قطعه اي سيليكن با ناخالصي نوع n به دو سر يك باتري وصل كنيم جرياني با توجه به ميزان مقاومت سيليكن در مدار جاري مي شود
ورود الكترون ها
خروج الكترون ها
ايجاد ترانزيستور اثر ميدان (FET)
الکترونیک دیجیتال
نفوذ فلز سه ظرفيتي (مانند اينديم) و ايجاد ناحيه اي از نوع P با غلظتي بيش از ناحيه n
و ايجاد اتصالي به نام گيت

ناحيه n كانال ناميده مي شود
باياس ترانزيستور و نحوه كاركرد آن
الکترونیک دیجیتال
اگر هر سه پايه سورس و درين را اتصال كوتاه كنيم هيچ جرياني از كانال نمي گذرد و دو ناحيه P و n توسط ناحيه تخليه از هم جدا مي شوند.
1
الکترونیک دیجیتال
اتصال منبع ولتاژ بين دو پايه درين و سورس به طوري كه درين نسبت به سورس مثبت تر باشد باعث :
افزايش ولتاژ باعث عبور جريان از كانال مي شود
اتصال pn در گرايش معكوس قرار مي گيرد
ناحيه تخليه (سد) در داخل كانال نفوذ مي كند
با افزايش بيشتر ولتاژ كانال مسدود مي شود. (ولتاژ بحراني Vp)

در هنگام رسيدن به ولتاژ بحراني جريان FET به حداكثر (جريان اشباع درين – سورس) مي رسد
افزايش بيش از حد ولتاژ
درين – سورس باعث شكست بهمني يا سوختن ترانزيستور مي شود
2
باياس ترانزيستور و نحوه كاركرد آن
....